 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS100R12N2T7B15BPSA1 |
od PLN 558,439*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 7,33*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,01*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP100R12N3T7BPSA1 |
od PLN 810,629*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 450A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 60,46*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRL1404ZPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=180 ns, Czas opadania=49 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=19 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 7,33*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór prz... |
|
od PLN 7,352*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 95ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 74,76*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 28,379*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 54A Czas załączania: 44ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 6,24*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 150A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUP40012EL-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 5,93*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP100R12N2T7BPSA1 |
od PLN 5 203,69*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 10... |
|
od PLN 9,17*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 40V, 150A, TO-263 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=SUM40012EL-GE3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=18 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 5,32*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 515 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 515 W Typ montażu = Montaż na panelu |
Infineon IFS100B12N3E4B31BOSA1 |
od PLN 975,956*
za szt. |
|
|
