Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
|
od PLN 1,411*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 34,384*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 72,30*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65GVC11 |
od PLN 14,88*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,94*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=51 ns, Czas opadania=100 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=83 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Na... |
|
od PLN 2,15*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 122,29*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 65,33*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR4105ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=40 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Nap... |
|
od PLN 1,65*
za szt. |
| |
|
Infineon FP150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 1 121,434*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,35*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-263 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, N... |
|
od PLN 1,989*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż... |
|
od PLN 133,639*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 74,53*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,694*
za szt. |
| |
|
