Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 43,76*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 25A, TO-252 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3105TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=25 A, Czas narastania=57 ns, Czas opadania=37 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=8 ns, Napię... |
|
od PLN 1,631*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FS150R12N2T7B54BPSA1 |
od PLN 660,589*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 30,09*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 28A, TO-252 (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2705TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, N... |
|
od PLN 3,05*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2 |
Infineon IKY75N120CH3XKSA1 |
od PLN 49,08*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 23,72*
za szt. |
| |
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 30 TO-247-4LD 268 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 30 Typ opakowania = TO-247-4LD |
|
od PLN 4 436,874*
za 450 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 32,51*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 29A, TO-263 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=29 A, Czas narastania=49 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napi... |
|
od PLN 1,62*
za szt. |
| |
IGBT Ic 160 A Uce 600 V PG-TO247-3-46 714 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 160 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 Liczba st... |
|
od PLN 33,307*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 36,12*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 2A, SOT-223 (4 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=2 A, Czas narastania=4.9 ns, Czas opadania=2.9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=14 ns, Czas opóźnienia włączenia=5.1 ns, Na... |
|
od PLN 0,842*
za szt. |
| |
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont... |
|
od PLN 933,862*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 100A; 830W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 285ns Czas wyłącza... |
|
od PLN 135,44*
za szt. |
| |
|
