Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (8 788 ofert spośród 4 798 977 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF600R12ME4WB73BPSA1
od PLN 1 277,676*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
od PLN 11 379,753*
za 450 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 62 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 188 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 62 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO220 Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IKP39N65ES5XKSA1
od PLN 454,40*
za 50 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 50 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 348 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65HRC11
od PLN 27,252*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 65 A Uce 650 V PG-TO247-3 160 W (1 Oferta) 
Infineon IHW30N65R6 to 650 V, 30 A IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247 z monolitycznie zintegrowaną diodą, zaprojektowana z myślą o spełnieniu wymagających wymagań zastosowań ...
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
od PLN 6,029*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 2,6A; 1,25W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,25W Polar...
Diodes
ZXMN6A11DN8TA
od PLN 1,17*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWS60TS65GC13
od PLN 8,781*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 7,5 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 6,8 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 7,5 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN04N60RC2ATMA1
od PLN 3 379,23*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza
ROHM Semiconductor
RGT60TS65DGC13
od PLN 13,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 6 A Uce 600 V 6 N2DIP-26L TYP Z Szereg 12,5 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 6 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = N2DIP-26L TYP Z Liczba styków = ...
ST Microelectronics
STGIPQ4C60T-HZ
od PLN 22,205*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 6,5 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 53.6 W (1 Oferta) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD06N60RFATMA1
od PLN 1,913*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 TO-247 108 W (2 ofert) 
Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le...
ST Microelectronics
STGWA30IH65DF
od PLN 7,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 120 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKWH60N65WR6XKSA1
od PLN 12,039*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 4,4A; 3,7W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,7W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
od PLN 2,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 145 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKWH70N65WR6XKSA1
od PLN 13,564*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   391   392   393   394   395   396   397   398   399   400   401   ..   586   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.