 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 12,12*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 600 V 1 PG-TO263-3 170 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu... |
|
od PLN 4,312*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,93*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon z przełączaniem dźwiękochłonnym o niskim napięciu nasycenia.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia el... |
|
od PLN 11,01*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH40N65WR6XKSA1 |
od PLN 246,1701*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90LD30 |
od PLN 48,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 50V, SC-59 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC847AE6327HTSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=50 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, N... |
|
od PLN 0,57*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 450 A Uce 1200 V CTI 2,4 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,4 kW Typ opakowania = CTI Typ montażu = Mon... |
Infineon FF450R12KE4EHOSA1 |
od PLN 5 632,98*
za 10 szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC846B, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=100 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ko... |
|
od PLN 0,0916*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 PG-TO247-3 150 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu... |
|
od PLN 5,877*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 35,69*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 65V, TO-92 (3 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC546CTA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=150 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=6 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,12*
za szt. |
|
|
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, NPN, 80V, SOT-223 (1 Oferta) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BCP56-10, Ciągły prąd kolektora (Ic)=1 A, Częstotliwość tranzytowa=180 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=100 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ko... |
|
od PLN 0,57*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 40 A Uce 650 V 1 TO-247GE 144 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 40 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 144 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH40TS65GC13 |
od PLN 10,369*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 48,29*
za szt. |
|
|
