Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 050 ofert spośród 4 794 693 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Uce 2,6 V NFAQ (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,6 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Typ opakowania = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
od PLN 11 891,88*
za 400 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 58A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M80LVFRG
od PLN 123,36*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIS413DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIS413DN-T1-GE3
od PLN 0,841*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 140A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH140N10P
od PLN 22,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT SUP90P06-09L-E3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SUP90P06-09L-E3
od PLN 15,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 600V; 22A; 400W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTQ22N60P
od PLN 16,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 600V; 14A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFA14N60P
od PLN 10,62*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311
Infineon
FP50R06KE3BPSA1
od PLN 518,8212*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6015LVRG
od PLN 86,76*
za szt.
 
 szt.
IGBT SIS476DN-T1-GE3, Vishay (2 ofert) 
Tranzystory MOSFET
Vishay
SIS476DN-T1-GE3
od PLN 1,824*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Po...
IXYS
IXTQ170N10P
od PLN 28,19*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 350 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 350 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311
Infineon
FS75R12KE3BPSA1
od PLN 479,818*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252HV Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W...
IXYS
IXTY1R4N120PHV
od PLN 8,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 2 Q0PACK - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 118 W (1 Oferta) 
Maksymalna strata mocy = 118 W
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
od PLN 394,132*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 800V; 14A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH14N80P
od PLN 18,02*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1337   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.