Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 276 ofert spośród 4 769 664 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 20,8A; 190W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 79mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polar...
ST Microelectronics
STP42N65M5
od PLN 25,90*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 500 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46
Infineon
IKQ40N120CH3XKSA1
od PLN 31,252*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; IntelliFET™; unipolarny; 60V; 2,8A; 1W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Diodes
ZXMS6006SGTA
od PLN 2,38*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 549 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 549 W Typ opakowania = TO-247 Typ monta...
Infineon
IKW75N120CH7XKSA1
od PLN 29,694*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 600V; 7A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryz...
ST Microelectronics
STP11NM60FD
od PLN 5,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™ II; unipolarny; 600V; 18A; 190W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 97mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW34NM60ND
od PLN 13,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 26,5A; 250W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STW57N65M5-4
od PLN 44,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 1350 V PG-TO247-3 394 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±25 V Maksymalna strata mocy = 394 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Licz...
Infineon
IHW40N135R5XKSA1
od PLN 12,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
od PLN 230,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP75R12N3T7B11BPSA1
od PLN 623,468*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 55V; 550A; Idm: 2kA (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 830W P...
IXYS
MMIX1T550N055T2
od PLN 146,88*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 306 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 306 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu...
Infineon
IGW40N60H3FKSA1
od PLN 11,539*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolarny; 500V; 14A; 214W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 214W Polaryza...
ST Microelectronics
STW20NM50FD
od PLN 9,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolarny; 650V; 41,5A; 450W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 41,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 450W Polaryz...
ST Microelectronics
STW78N65M5
od PLN 46,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 80 A Uce 600 V PG-TO247-3 428 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 428 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków...
Infineon
AIKW75N60CTXKSA1
od PLN 33,324*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   401   402   403   404   405   406   407   408   409   410   411   ..   1352   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.