Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 063 ofert spośród 4 768 337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,48A; 0,18W; SC70 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC70 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,48Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,18W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI1302DL-T1-GE3
od PLN 0,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP UDFN -100 V. Montaż powierzchniowy -4 A DXTP58100CFDB-7 (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -4 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -100 V. Typ opakowania = UDFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów ...
Diodes
DXTP58100CFDB-7
od PLN 0,784*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRLB4132 tranzystor 40 V (2 ofert)
Infineon
IRLB4132PBF
od PLN 1,607*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP VT6T1 -20 V Montaż powierzchniowy -200 mA VT6T1T2R (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia ROHM NPN o napięciu znamionowym -20V. Jest on używany głównie w sterownikach LED i przełączaniu.Koszt montażu i powierzchnia mogą zostać zreduowane o połowę Nie za...
ROHM Semiconductor
VT6T1T2R
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFP4868 tranzystor 60 V (3 ofert)
Infineon
IRFP4868PBF
od PLN 13,563*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP VT6T12 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA VT6T12T2R (1 Oferta) 
Epitoosiowy tranzystor płaski ROHM PNP, który składa się z materiału silikonowego. Jest on używany głównie w obwodzie lusterka sterowanego prądem.Mały rozmiar opakowania
ROHM Semiconductor
VT6T12T2R
od PLN 0,279*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W P...
IXYS
IXTK90N25L2
od PLN 101,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP VT6T2 -50 V Montaż powierzchniowy -100 mA VT6T2T2R (1 Oferta) 
Tranzystor ogólnego przeznaczenia ROHM NPN o napięciu znamionowym -50V. Jest on używany głównie w sterownikach LED i przełączaniu.Koszt montażu i powierzchnia mogą zostać zreduowane o połowę
ROHM Semiconductor
VT6T2T2R
od PLN 0,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor PNP X1-DFN1006-3 -40 V Montaż powierzchniowy -500 mA DSS3540MQ-7B (1 Oferta) 
Typ tranzystora = PNP Maksymalny prąd DC kolektora = -500 mA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = -40 V Typ opakowania = X1-DFN1006-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Minimalne wzmocnienie prąd...
Diodes
DSS3540MQ-7B
od PLN 0,316*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 11,6A; 2,5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 11,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS8880
od PLN 0,954*
za szt.
 
 szt.
Zestaw badawczo-rozwojowy – zarządzanie zasilaniem STMicroelectronics Płytka ewaluacyjna Tranzystory IGBT, tranzystory (1 Oferta) 
L6491 to urządzenie wysokiego napięcia wyprodukowane w technologii BCD6 „OFF-LINE”;. Jest to jednoukładowy sterownik półmostkowy dla tranzystorów MOSFET lub IGBT z zanurzaczem 4 A i możliwością zas...
ST Microelectronics
EVAL6491HB
od PLN 327,254*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 86A; 860W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 46mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 860W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFH86N30T
od PLN 27,52*
za szt.
 
 szt.
Zestaw uruchomieniowy STMicroelectronics Sterownik bramki IGBT Płyta demonstracyjna (1 Oferta) 
Funkcja zarządzania mocą = Sterownik bramki IGBT Rodzaj zestawu = Płyta demonstracyjna Symbol układu = STDRIVEG600 Nazwa zestawu = Demonstration Board
ST Microelectronics
EVSTDRIVEG60015
od PLN 495,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 25V; 0,23A; 0,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,4W Polaryzac...
Diodes
DMG301NU-13
od PLN 2,17*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 0,85A; 500mW; SOT23,TO236AB (2 ofert) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT23;TO236AB Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryzacj...
Nexperia
BSH103,215
od PLN 0,44*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   581   582   583   584   585   586   587   588   589   590   591   ..   1338   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.