![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
od PLN 16,151* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT102GA60B2 |
od PLN 63,05* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 270 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 270 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 408,05* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 84ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60B2G |
od PLN 77,76* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 17 969,798* za 28 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP60B2DQ2G |
od PLN 56,42* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 49A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 31ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GP60BDQ1G |
od PLN 37,59* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 350 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 350 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 480,128* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60SD15 |
od PLN 34,24* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 355 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 482,977* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 25ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GA90BD15 |
od PLN 28,05* za szt. |
|
|
|
Infineon DDB6U104N16RRBPSA1 |
od PLN 5 404,891* za 15 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G |
od PLN 62,04* za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 10,2778* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 |
od PLN 49,03* za szt. |
|
|