 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 23ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GP90BDQ1G |
od PLN 26,39*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 2,6 V NFAQ (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2,6 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Typ opakowania = NFAQ |
|
od PLN 26,09*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 34,87*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 429,525*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 51,45*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFVA25012NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny stopień wyjściowy falownika dla pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC ... |
|
od PLN 6 865,236*
za 24 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP90B2DQ2G |
od PLN 81,34*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Stop Rowu, Pole, 4. Generacja, niskie Vcessiat IGBT, pakowane razem z diodą o pełnym prądzie znamionowymMaksymalna temperatura złącza: TJ = 175℃ Współczynnik dodatniej temperatury dla łatwej pracy ... |
|
od PLN 844,6602*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP90BDQ1G |
od PLN 40,94*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V AG-ECONO2C-311 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 430,025*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA60B |
od PLN 42,28*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 10,72*
za 5 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 |
od PLN 29,22*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R12IE5BPSA1 |
od PLN 3 361,89*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90LD30 |
od PLN 51,56*
za szt. |
|
|
