| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,35W; TO92; 50mA (1 Oferta) Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO92 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 30V |
|
od PLN 6,64* za szt. |
|
|
Standardowo włączone JFET, SiC, 20V, TO-247-3L, Kanał N 1.2kV 35mOhm TO-247-3L (1 Oferta) Nazwa produktu=Standardowo włączone JFET, SiC, Typ=UJ3N120035K3S, Ciągły prąd drenu (Id)=63 A, Napięcie odcięcia bramka-źródło maks. (Vgs(off))=20 V, Napięcie przebicia=1.2 kV, Napięcie źródłowe dr... |
United Silicon Carbide UJ3N120035K3S |
od PLN 135,93* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,053* za szt. |
|
|
|
Infineon IGOT60R070D1AUMA1 |
od PLN 77,23* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,074* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 55,93* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,98* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,82* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,499* za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics SGT120R65AL |
od PLN 10,93* za szt. |
|
|
|
Central Semiconductor 2N5458 PBFREE |
od PLN 2,60* za szt. |
|
|
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,3W; TO72; 10mA (1 Oferta) Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO72 Prąd bramki: 10mA Typ tranzystora: P-JFET Moc rozpraszana: 0,3W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: luzem Napięcie bramka-źródło: 20V |
|
od PLN 18,55* za szt. |
|