Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,88*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 78A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX78N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=78 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 36,15*
za szt. |
| |
IGBT Ic 153 A Uce 25 V PG-TDSON-8 kanał: N 2,5 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 153 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 25 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 W Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu =... |
|
od PLN 2,373*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,80*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 78A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK78N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=78 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 61,12*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 1 007,18*
za 10 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 80A, SOT-227B (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFN80N50, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=70 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=102 ns, Czas opóźnienia włączenia=61 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 197,03*
za szt. |
| |
IGBT Ic 145 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 441 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 145 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 441 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = ... |
ST Microelectronics STGWA100H65DFB2 |
od PLN 21,758*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 23,99*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta... |
|
od PLN 122,16*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 8,97*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 8A, TO-220AB (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF840LCPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8 A, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=19 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=27 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 3,33*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 31,81*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 98A, ISOPLUS247 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX98N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=98 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=90 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 46,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EasyPIM Typ kanału = N L... |
Infineon FP15R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 3 551,46816*
za 24 szt. |
| |
|
