Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,... |
|
od PLN 14,93*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 500V, 98A, TO-264 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK98N50P3, Ciągły prąd drenu (Id)=98 A, Czas narastania=21 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=90 ns, Czas opóźnienia włączenia=48 ns, Napięcie bramka-źródł... |
|
od PLN 47,31*
za szt. |
| |
IGBT Ic 146 A Uce 600 V 1 SOT-227 kanał: N 446 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 146 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 446 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 122,36*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,57*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 200mA, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138L, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,136*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 240W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,53*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 210mA, SOT-323 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138W, Ciągły prąd drenu (Id)=210 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,247*
za szt. |
| |
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż... |
|
od PLN 112,42*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120BD15 |
od PLN 29,06*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138K, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=5 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=60 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=12... |
|
od PLN 0,267*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 159,70*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie bramka-źródło=20... |
|
od PLN 0,202*
za szt. |
| |
IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EasyPIM kanał: N 20 mW (1 Oferta) Moduł Infineon 15 A PIM IGBT charakteryzuje się większą gęstością mocy i ma niższe koszty systemu. Ma niskie napięcie stanu VCESAT i VF.Lepsza kontrola nad obrazem dv/dt Zoptymalizowane straty przy... |
Infineon FP15R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 179,94*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 50W; TO220FP (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 9A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 8,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie bramka-źródło=2... |
|
od PLN 0,48*
za szt. |
| |
|
