 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 34,464*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT102GA60B2 |
od PLN 60,61*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont... |
|
od PLN 933,822*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w impulsie: 490A Czas załączania: 65ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 46,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR3915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=51 ns, Czas opadania=100 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=83 ns, Czas opóźnienia włączenia=7.4 ns, Napięcie bramka-ź... |
|
od PLN 2,15*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 19,684*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 215A Czas załączania: 71ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 19,82*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-252 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR4105ZTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=40 ns, Czas opadania=24 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 2,742*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH20N65WR6XKSA1 |
od PLN 221,7801*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 35,88*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 30A, TO-263 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRLZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=30 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 3,377*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =... |
|
od PLN 133,819*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60SD15 |
od PLN 32,97*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP150R12N3T7BPSA1 |
od PLN 1 117,714*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GT120BRDQ1G |
od PLN 22,83*
za szt. |
|
|
