|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1867185 Nr producenta:
MUN5213T1G EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Ta seria tranzystorów cyfrowych została zaprojektowana w taki sposób, aby zastąpić pojedyncze urządzenie i jego zewnętrzną sieć przesunięcia rezystora. Tranzystor bias rezystor (BRT) zawiera pojedynczy tranzystor z monolityczną siecią składającą się z dwóch oporników, rezystora podstawowego serii i rezystora podstawowego. BRT eliminuje te poszczególne elementy poprzez zintegrowanie ich z jednym urządzeniem. Użycie urządzenia BRT może zmniejszyć zarówno koszty systemu, jak i ilość miejsca na płycie.Upraszcza konstrukcję obwodu Zmniejsza ilość miejsca na płycie Zmniejsza liczbę elementów Prefiks S i NSV dla zastosowań motoryzacyjnych i innych wymagających unikatowych wymagań dotyczących zmian w witrynie i kontroli, z obsługą PPAP Urządzenia wolne od ołowiu, halogenów i BFR Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 100 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50 V | Typ opakowania: | SOT-323 (SC-70) | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 310 mW | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Rezystor baza-emiter: | 47kΩ | Wymiary: | 2.2 x 1.35 x 0.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Typowy rezystor wejściowy: | 47 k Ω | Typowy współczynnik rezystora: | 1 | Konfiguracja: | Pojedyncza |
|
| | |
| | | |
| | | |
| |