|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-5181980 Nr producenta:
PBSS5350X EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tranzystory PNP o niskim napięciu nasycenia. Szereg NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) niskonapięciowych tranzystorów przyłączeniowych PNP bipolarnych. Urządzenia te charakteryzują się bardzo niskim poborem ciepła przez kolektor i dużą pojemnością skokową prądu w niewielkich gabarytach. Zmniejszone straty tych tranzystorów powodują niższą emisję ciepła i ogólny wzrost wydajności w przypadku zastosowania przełączników i aplikacji cyfrowych. Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | PNP | Maksymalny prąd DC kolektora: | -3 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | -50 V | Typ opakowania: | UPAK | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Maksymalna strata mocy: | 1.6 W | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 200 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie kolektor-baza: | 50 V | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 5 V | Maksymalna częstotliwość robocza: | 100 MHz | Liczba styków: | 4 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 1.6 x 4.6 x 2.6mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 5181980, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, Nexperia, PBSS5350X |
| | |
| |