|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-5406605 Nr producenta:
RN1108(F) EAN/GTIN:
5059041971782 |
| |
|
| | |
| Tranzystor z wbudowanym rezystorem, seria BRT Toshiba. Wbudowane rezystory diagonalne, zastosowanie mniejszej liczby części umożliwia zmniejszenie rozmiaru urządzenia i oszczędność miejsca Szeroki zakres wartości odporności sprawia, że produkt nadaje się do różnorodnych zastosowań Uzupełniające produkty z RN1101 / RN2101 do RN1118 / RN2118 Zastosowania: Przełączanie, obwody inwertera, obwody interfejsu, obwody sterownika Pakiet SSM Dalsze informacje: | | Typ tranzystora: | NPN | Maksymalny prąd DC kolektora: | 100 mA | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50 V | Typ opakowania: | ESM | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Minimalne wzmocnienie prądu DC: | 80 | Konfiguracja tranzystora: | Pojedynczy | Maksymalne napięcie emiter-baza: | 7 V | Liczba styków: | 3 | Liczba elementów na układ: | 1 | Wymiary: | 1.6 x 0.8 x 0.7mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150 °C | Typowy rezystor wejściowy: | 22 kΩ | Typowy współczynnik rezystora: | 0,47 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystor, Tranzystory, tranzystor npn, tranzystor smd, tranzystor toshiba, 5406605, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory bipolarne, Toshiba, RN1108(F) |
| | |
| |