Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor dużej mocy

  Tranzystor dużej mocy  (493 ofert spośród 5 375 752 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor dużej mocy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor dużej mocy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET P-kanałowy 900 mA SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 500 mW 0.5 Ω (1 Oferta) 
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor. Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten ...
onsemi
NDS352AP
PLN 0,624*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BCP56-16T1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD BCP BCX Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.13 GHz · Moc (maks) P(TOT): 1.5 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
onsemi
BCP56-16T1G
PLN 0,863*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 360 A TO-247 650 V 0.024 Ω (1 Oferta) 
Superwęzeł MOSFET Infineon CoolMOS CFD7 IPW60R024CFD7 w wersji 600 V idealnie nadaje się do topologii dźwiękowych w systemach SMPS o dużej mocy, takich jak serwery, telekomunikacja i stacje ładowan...
Infineon
IPW60R024CFD7XKSA1
PLN 68,03*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor J111-D26Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
JFET małej mocy ONS z paskiem J1_ TO Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.625 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: do montażu w otworach · Typ obudowy półprzewodnika: TO-92
onsemi
J111-D26Z
PLN 1,11651*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF6645TRPBF
PLN 3,139*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BCP56-10T1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD BCP BCX Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.13 GHz · Moc (maks) P(TOT): 1.5 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Pr...
onsemi
BCP56-10T1G
PLN 0,742*
za szt.
 
 szt.
Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy 290 mA SOIC IRS21271STRPBF CMOS 20V (1 Oferta) 
Infineon IRS21271 to wysokonapięcia, tranzystory MOSFET o dużej mocy i sterownik IGBT. Zastrzeżony system HVIC i technologia LATCH immunologic CMOS umożliwiają budowę monolitycznego, wzmocnionego m...
Infineon
IRS21271STRPBF
PLN 2,604*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BCW65CLT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD BC_ SOT23 Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.1 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce ·...
onsemi
BCW65CLT1G
PLN 0,169*
za szt.
 
 szt.
Sterownik bramki MOSFET 14-pinowy 1,9 A SOIC IRS21844STRPBF 20V (1 Oferta) 
Infineon IRS21844 to wysokonapięcie, szybki tranzystor MOSFET o dużej mocy i sterownik IGBT z zależnym wysoko- i niskopozycyjny kanał wyjściowy. Zastrzeżony system HVIC i technologia LATCH immunolo...
Infineon
IRS21844STRPBF
PLN 12,332*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor J175-D26Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) 
JFET małej mocy ONS z paskiem J1_ TO Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.35 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: do montażu w otworach · Typ obudowy półprzewodnika: TO-92
onsemi
J175-D26Z
PLN 0,648*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,5 A TO-263-7 1700 V SMD 0.75 O. (1 Oferta) 
Nowe tranzystory MOSFET Littelfuse 1700V, 750mOhm z karbidu krzemowego (SiC) są przedstawione w OPAKOWANIU TO-263-7L. Oddzielony pin źródła znacznie zmniejsza ścieżkę indukcyjności źródła dla kiero...
Littelfuse
LSIC1MO170T0750-TU
PLN 51,90*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BCW32LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD BC_ SOT23 Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 32 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Prąd kolektora I(C): 0.1 A · Sposób m...
onsemi
BCW32LT1G
PLN 0,13905*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 25 A TO-220 600 V 0.09 O. (1 Oferta) 
Seria CoolMOS firmy Infineon to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Naj...
Infineon
IPP60R090CFD7XKSA1
PLN 25,428*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor J112-D26Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
JFET małej mocy ONS z paskiem J1_ TO Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.625 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: do montażu w otworach · Typ obudowy półprzewodnika: TO-92
onsemi
J112-D26Z
PLN 0,76271*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A PQFN 5 x 6 30 V SMD 0.0014 O. (1 Oferta) 
Rodzina tranzystorów Infineon IRFH5300 to tranzystory MOSFET o dużej mocy, zoptymalizowane pod kątem niskiego poziomu RDS (włączony) i wysokiego natężenia prądu. Urządzenia te są idealne do zastoso...
Infineon
IRFH5300TRPBF
PLN 5,987*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   33   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.