Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor dużej mocy

  Tranzystor dużej mocy  (493 ofert spośród 5 375 752 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor dużej mocy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor dużej mocy"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
ON Semiconductor MMBF4391LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
JFET małej mocy ONS SMD MMBF_ SOT23 Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23
onsemi
MMBF4391LT1G
PLN 0,456*
za szt.
 
 szt.
Infineon IR2136S (1 Oferta)
Infineon
IR2136STRPBF
PLN 7,648*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BCX19LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD BC_ SOT23 Dane techniczne: Częstotliwość przejść f(T): 0.1 GHz · Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 45 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce ·...
onsemi
BCX19LT1G
PLN 0,1416*
za szt.
 
 szt.
Sterownik bramki MOSFET 14-pinowy 2 A SOIC 16 IRS2110STRPBF 20V (1 Oferta) 
Infineon IRS2110 to wysokonapięcia, szybki tranzystor MOSFET o dużej mocy i sterownik IGBT z niezależnymi kanałami wyjściowymi wysokiej i niskiej strony. Zastrzeżony system HVIC i technologia LATCH...
Infineon
IRS2110STRPBF
PLN 15,188*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor MMBF4393LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) 
JFET małej mocy ONS SMD MMBF_ SOT23 Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23
onsemi
MMBF4393LT1G
PLN 0,446*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD33CN10NGATMA1
PLN 1,711*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor MMBFJ177LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
JFET małej mocy ONS SMD MMBF_ SOT23 Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23
onsemi
MMBFJ177LT1G
PLN 0,472*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 83 A DDPAK 650 V SMD 0.08 O. (1 Oferta) 
Technologie Infineon wprowadzają Double DPAK (DDPAK), pierwszy pakiet SMD (top-side cooverd surface mount Device) przeznaczony do zastosowań SMPS o dużej mocy, takich jak zasilanie z komputera, ene...
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
PLN 24,645*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor BSP52T1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (3 ofert) 
Tranzystory małej mocy SMD Darlington Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.8 W · Napięcie kolektor - emiter U(CEO): 80 V · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Prąd kolektora I(C): 1 A · Sposób mont...
onsemi
BSP52T1G
PLN 1,42684*
za szt.
 
 szt.
Sterownik bramki MOSFET 44-pinowy 350 mA PLCC IR2136JTRPBF 20V (1 Oferta) 
Infineon IR2136J to wysokonapięcia, szybki tranzystor MOSFET o dużej mocy i sterownik IGBT z trzema niezależnymi kanałami wyjściowymi wysokiej i niskiej strony, do zastosowań 3-fazowych. Zastrzeżon...
Infineon
IR2136JTRPBF
PLN 14,82*
za szt.
 
 szt.
ONS MOSFET małej mocy BS_ TO92 lub ON Semiconductor BS170-D26Z N/A N/A (3 ofert) 
ONS MOSFET małej mocy BS_ TO92 lub Dane techniczne: I(d): 0.5 A · Ilość kanałów: 1 · Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Temperatura pracy (maks.): +150 °C · ...
onsemi
BS170-D26Z
PLN 0,488*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB065N10N3GATMA1
PLN 6,925*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor J109-D26Z Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (1 Oferta) 
JFET małej mocy ONS z paskiem J1_ TO Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.625 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: do montażu w otworach · Typ obudowy półprzewodnika: TO-92
onsemi
J109-D26Z
PLN 1,45897*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3 A ThinPAK 5 x 6 600 V SMD 1.5 omów (1 Oferta) 
Nowy Infineon CoolMOS™ ThinPAK 5x6 to bezprzewodowa obudowa SMD, zaprojektowana specjalnie do tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia. Ten nowy pakiet ma bardzo małą powierzchnię 5x6mm 2 i bardzo ni...
Infineon
IPL60R1K5C6SATMA1
PLN 4,388*
za szt.
 
 szt.
ON Semiconductor MMBF4392LT1G Tranzystor (BJT) - dykretny 1 szt. (2 ofert) 
JFET małej mocy ONS SMD MMBF_ SOT23 Dane techniczne: Moc (maks) P(TOT): 0.225 W · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Sposób montażu: montaż na powierzchni · Typ obudowy półprzewodnika: SOT-23
onsemi
MMBF4392LT1G
PLN 0,86531*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   33   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.