Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD

  Tranzystory z kanałem P SMD (1 384 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; -2,3A; Idm: -13A (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ChipFET Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: -2,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 2,1W Polary...
onsemi
NTHD3101FT1G
od PLN 1,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolarny; -40V; -40A; 58W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3-313 Napięcie dren-źródło: -40V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,6mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana:...
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2
od PLN 5,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTA52P10P
od PLN 15,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT90P10P
od PLN 33,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA36P15P
od PLN 15,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA26P20P
od PLN 16,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA10P50P
od PLN 15,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT20P50P
od PLN 33,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -16A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT16P60P
od PLN 40,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; -100V; -9,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN3.3x3.3 EP Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 17...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ15GP10A
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolarny; -30V; -3,2A; 2,7W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 2,7W Polaryzac...
ST Microelectronics
STS5P3LLH6
od PLN 2,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; -60V; -42A; 100W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Pola...
ST Microelectronics
STL42P6LLF6
od PLN 3,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; STripFET™; unipolarny; -30V; -1,2A; Idm: -8A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -1,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polary...
ST Microelectronics
STR2P3LLH6
od PLN 0,594*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolarny; -15V; -1,6A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -15V Prąd drenu: -1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polary...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2301G
od PLN 0,11*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   93   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.