Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD

  Tranzystory z kanałem P SMD (1 360 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -14,9A; 5W; SO8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -14,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20,5mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 5W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4825DDY-T1-GE3
od PLN 1,243*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -156A; 66,6W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -156A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 66,6W Polaryza...
Vishay
SIRA99DP-T1-GE3
od PLN 4,414*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -16A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 15W Polaryzacj...
Vishay
SISA35DN-T1-GE3
od PLN 0,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -18,3A; 4,8W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -18,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 4,8W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4425FDY-T1-GE3
od PLN 1,161*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -18A; 52W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 52W Polaryzacj...
Vishay
SI7153DN-T1-GE3
od PLN 1,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -18A; Idm: -70A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,2mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryza...
Vishay
SIS413DN-T1-GE3
od PLN 0,841*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -2,5A; 1,9W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 1,9W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SQ2303ES-T1_GE3
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -20,8A; 40W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -20,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,2mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacj...
Vishay
SIRA01DP-T1-GE3
od PLN 2,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -20A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 17,8W Polaryza...
Vishay
SIS429DNT-T1-GE3
od PLN 0,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -24A; Idm: -50A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 27,8W Polaryza...
Vishay
SI7619DN-T1-GE3
od PLN 1,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -30,3A; 19,2W (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -30,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24,1mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 19,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Vishay
SIA471DJ-T1-GE3
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -35A; Idm: -60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33,3W Polaryza...
Vishay
SISH129DN-T1-GE3
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -35A; Idm: -60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22,2mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryza...
Vishay
SISH617DN-T1-GE3
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -35A; Idm: -80A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacj...
Vishay
SISH101DN-T1-GE3
od PLN 1,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -35A; Idm: -80A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacj...
Vishay
SISH625DN-T1-GE3
od PLN 1,46*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   91   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.