 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 650 V 1 TO-247 kanał: N 395 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Lic... |
|
od PLN 14,552*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65N1 |
od PLN 1,74*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 546,306*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; H5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 22... |
Infineon AIKW50N65DH5XKSA1 |
od PLN 31,02*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 PLUS kanał: N 880 W (1 Oferta) Infineon High speed hard-switching TRENCHSTOP IGBT6 zapakowany w miękką i szybką diodę antyrównoległą do pełnego powrotu prądu w OBUDOWIE TO-247 jest zaprojektowany, aby osiągnąć najlepszy kompromi... |
Infineon IKY75N120CS6XKSA1 |
od PLN 27,23*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 70 Uce 650 V 1 TO-247GE 2.34 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT80TS65DGC13 |
od PLN 8,549*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,833*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 60A; 153W; TO3PN (1 Oferta) Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 180A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana:... |
|
od PLN 13,09*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
|
od PLN 591,171*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOD5B65M1 |
od PLN 2,34*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 627,699*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 79 A Uce 650 V PG-TO263-3 230 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 79 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30 V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczb... |
|
od PLN 8,831*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 71 A Uce 650 V 1 TO-247GE 202 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 71 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS80TS65GC13 |
od PLN 14,75*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 53,5A; 136W; TO247-3; F5 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 53,5A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 33... |
Infineon AIKW50N65DF5XKSA1 |
od PLN 22,72*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11 |
od PLN 32,80*
za szt. |
|
|
