 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 600 V PG-TO247-3 187 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w technologię Fieldstop z miękką diodą antyrównoległą sterowaną emiterem szybko odzyskującą ciepło.Wysoka sprawność Niskie straty... |
|
od PLN 18,03*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 65 A Uce 600 V 1 TO-247GE 148 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 65 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 148 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGCL80TS60GC13 |
od PLN 7 569,24*
za 600 szt. |
|
|
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montażu ... |
|
od PLN 2 173,018*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 93A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60BG |
od PLN 38,82*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-PRIME2 3,35 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW Typ opakowania = AG-PRIME2 Typ montaż... |
|
od PLN 2 195,763*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 H2PAK-2 260 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 260 W Typ opakowania = H2PAK-2 |
ST Microelectronics STGH30H65DFB-2AG |
od PLN 10,168*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 1 082,14*
za 10 szt. |
|
|
IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FF600R12ME4WB73BPSA1 |
od PLN 1 166,952*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF15B65M3 |
od PLN 3,20*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 905,746*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,54*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 21ns ... |
|
od PLN 5,70*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 70 A Uce 650 V 1 TO-247GE 234 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 70 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 234 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGTH80TS65DGC13 |
od PLN 14,801*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 15A; 24W; ITO220AB (1 Oferta) Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 46ns C... |
|
od PLN 3,78*
za szt. |
|
|
