 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 64ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 132,95*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 74 A Uce 650 V PG-TO263-3 250 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z szybką przełączaniem i izolowaną bramką Infineon o pełnym natężeniu prądu, wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1.Wysoka sprawność Niskie straty przy prz... |
|
od PLN 12,471*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,64*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 965,8902*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,06*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 |
od PLN 543,826*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT30GN60BG |
od PLN 15,72*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
Infineon FP75R12N3T7B11BPSA1 |
od PLN 625,488*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 22A; 195W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 19ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120SDQ1G |
od PLN 33,43*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 PLUS kanał: N 880 W (1 Oferta) Infineon High speed hard-switching TRENCHSTOP IGBT6 zapakowany w miękką i szybką diodę antyrównoległą do pełnego powrotu prądu w OBUDOWIE TO-247 jest zaprojektowany, aby osiągnąć najlepszy kompromi... |
Infineon IKY75N120CS6XKSA1 |
od PLN 27,31*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13A Czas załączania: 310ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 62,16*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGSX5TS65EGC11 |
od PLN 24,762*
za szt. |
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GN120B2G |
od PLN 111,85*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW |
|
od PLN 589,681*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60SDQ2G |
od PLN 44,53*
za szt. |
|
|
