Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 797 ofert spośród 4 779 728 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL12E4P 27895020
od PLN 1 982,30*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX302GAL12E4S 27890220
od PLN 945,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper x2,termistor NTC (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGL60DDA120T3G
od PLN 319,18*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor,wspólna bramka,wspólny emiter (1 Oferta) 
Producent: ABB Obudowa: HIPAK Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor;wspólny emiter;wspólna bramka Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2,4kA Prąd kolek...
ABB
5SNE 2400E170300
od PLN 5 882,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL126D 21916030
od PLN 949,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL17E4S 27892132
od PLN 1 547,80*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor NTC; SP1 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTGLQ100DA120T1G
od PLN 291,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,buck chopper; 290W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 150A Moc r...
IXYS
MIXA60HU1200VA
od PLN 95,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12F4 22896040
od PLN 250,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3p Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX603GAL17E4P 27894420
od PLN 1 964,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 300A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX452GAL126HDS 27890685
od PLN 1 140,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 150A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX1S Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX151GAL12VS 27890103
od PLN 584,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: E2-Pack Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 300A Montaż...
IXYS
MDMA240UB1600ED
od PLN 434,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Zastosowanie: do UPS;falownik;przemiennik ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB12T4V2 25238100
od PLN 645,02*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 450A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMiX® 3s Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolektora w impulsi...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX453GAL12E4S 27890144
od PLN 1 303,02*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   181   182   183   184   185   186   187   188   189   190   191   ..   254   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.