 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65GC13 |
od PLN 8,871*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65EHRC11 |
od PLN 36,343*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13 |
od PLN 6 224,52*
za 600 szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW00TS65EHRC11 |
od PLN 22,992*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOTF15B65M2 |
od PLN 5,42*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 55 A Uce 650 V 1 188 188 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = 188 Typ montażu = Otwó... |
|
od PLN 6,795*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 40ns Cz... |
|
od PLN 9,44*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,286*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 53 A Uce 600 V PG-TO247-3-AI Izolacja 141 W (1 Oferta) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon jest wyposażony w szybką i miękką diodę antyrównoległą Rapid 1 w całkowicie izolowanym opakowaniu.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączanie... |
Infineon IKFW60N60DH3EXKSA1 |
od PLN 509,6802*
za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 180A Typ tranzystora: IGBT... |
|
od PLN 17,80*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGWX5TS65DHRC11 |
od PLN 11 416,752*
za 450 szt. |
|
|
IGBT Ic 55 Uce 650 V 1 TO-247GE 1.94 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 55 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 1.94 mW Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGT60TS65DGC13 |
od PLN 7,921*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 51 A Uce 650 V 1 TO-247GE 156 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 51 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = TO-247GE |
ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13 |
od PLN 10,488*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 21ns ... |
|
od PLN 5,66*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 64A; 366W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 45ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN60BDQ2G |
od PLN 39,16*
za szt. |
|
|
