Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 831 ofert spośród 4 768 742 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Układ scalony liniowy, IXYS IXDN604PI, DIP-8, MOS / sterownik bramki IGBT (2 ofert) 
Sterownik bramy PMIC IXYS IXDN604PI | Zintegrowane obwody elektryczne wiodących producentów. Jak zwykle należy zwrócić uwagę na naszą obszerną dokumentację, która jest udostępniona do bezpłatnego ś...
IXYS
IXDN604PI
od PLN 4,23*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy 357 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 115 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 3 Konfi...
ST Microelectronics
STGWA75H65DFB2
od PLN 12,346*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL125D 22890750
od PLN 990,32*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
od PLN 12,289*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5109ADR2G
od PLN 2,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 288 W Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 9 522,612*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor IGBT, 650V, 30A, TO-247 (3 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IKW30N65H5XKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=30 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=650 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat)...
Infineon
IKW30N65H5XKSA1
od PLN 11,253*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 379A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 379A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAL066HDS 27891104
od PLN 366,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 714 W (1 Oferta) 
SERIA ON Semiconductor AFGY to IGBT z miękką diodą szybkiego odzyskiwania, która zapewnia bardzo niskie przewodzenie i straty na przełączniku dla wysokiej wydajności pracy w różnych zastosowaniach,...
onsemi
AFGY120T65SPD
od PLN 29,343*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V1 25230070
od PLN 621,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N L...
onsemi
AFGY120T65SPD
od PLN 39,893*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
od PLN 682,38*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 11,7 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 30 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 30 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montaż...
Infineon
IKA10N60TXKSA1
od PLN 3,627*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 900V, 20A, TO-220 (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IXYP8N90C3, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=900 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))=3 V...
IXYS
IXYP8N90C3
od PLN 8,35*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0,7÷0,36A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-8 Napięcie zasilania: 10...20V Prąd wyjściowy: -0,7...0,36A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Właściwości układów scalonych...
Infineon
2EDL05I06BFXUMA1
od PLN 2,67*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   256   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.