Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 891 ofert spośród 4 778 140 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 140 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 714 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montaż...
Infineon
IGW100N60H3FKSA1
od PLN 24,885*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GAL125D 22890750
od PLN 982,95*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 11,7 A Uce 600 V 1 PG-TO220-3 30 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 11,7 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 30 W Typ opakowania = PG-TO220-3 Typ montaż...
Infineon
IKA10N60TXKSA1
od PLN 3,442*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 123A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GAL12T4 22892600
od PLN 210,71*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 120 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 170 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 170 W Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ120N75CP2XKSA1
od PLN 42,005*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0,7÷0,36A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-8 Napięcie zasilania: 10...20V Prąd wyjściowy: -0,7...0,36A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 2 Właściwości układów scalonych...
Infineon
2EDL05I06BFXUMA1
od PLN 2,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (2 ofert) 
Seria STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 stanowi ewolucję zastrzeżonej przez firmę Advanced struktury bramkowania rowów. Wydajność serii HB2 jest zoptymalizowana pod względem przewodzenia, dzięki le...
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
od PLN 19,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolekto...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24NAB126V1 25230070
od PLN 620,27*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 141 A Uce 1200 V TO-247AC 543 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 141 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 543 W Typ opakowania = TO-247AC
Infineon
AUIRG4PH50S
od PLN 33,234*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; 1,47kW (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w im...
Infineon
FD300R12KE3HOSA1
od PLN 677,75*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 115 A Uce 650 V 1 TO-247 357 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 115 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 357 W Typ opakowania = TO-247 Liczba styków = 4
ST Microelectronics
STGW75H65DFB2-4
od PLN 25,262*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 30A (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SMPD-B...
IXYS
IXA30RG1200DHGLB
od PLN 30,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 139 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 658 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 139 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT80DA120U
od PLN 108,283*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper,termistor; Ic: 379A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX2S Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 379A Prąd kolektora w impulsie:...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX402GAL066HDS 27891104
od PLN 367,33*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 12 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 88 W (2 ofert) 
Infineon IGD06N60T jest bardzo miękką, szybką diodą ze sterowaniem antyemiterem równoległym i charakteryzuje się wysoką stabilizację, stabilizację temperatury. Ma niskie straty przy przełączaniu.Ba...
Infineon
IGD06N60TATMA1
od PLN 1,57*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.