Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  IGBT  (3 891 ofert spośród 4 778 142 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „IGBT“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 660 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba s...
onsemi
AFGY100T65SPD
od PLN 28,289*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO28; -2÷2A; Ch: 2 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Tem...
IXYS
IX2120B
od PLN 10,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT, 1.7kV, 100A, TO-247AD (2 ofert) 
Tranzystor IGBT, Typ=IXYH30N170C, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.7 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))=...
IXYS
IXYH30N170C
od PLN 52,15*
za szt.
 
 szt.
STMicroelectronics STGP8NC60KD IGBT 1 szt. (3 ofert) 
STM IGBT z FRED STGF_, STGP_ TO220_ Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 17 ns · Napięcie kolektora-emitera U(CES): 600 V · Opakowanie: tuba · Opóźnienie wyłączenia t(d)(off)(2): 72 ns · Prąd...
ST Microelectronics
STGP8NC60KD
od PLN 2,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 652 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46
Infineon
IKQ50N120CT2XKSA1
od PLN 32,088*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO16-W; -5÷2,5A (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO16-W Napięcie zasilania: 15...30V DC Prąd wyjściowy: -5...2,5A Typ układu scalonego: driver Czas narastania impuls...
Texas Instruments
ISO5452DW
od PLN 12,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł tranzystorowy IGBT Ic 80 A Uce 650 V PG-TO247-3 305 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 305 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
od PLN 11,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 650 V AG-ECONO2B-411 335 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS100R07N2E4BPSA1
od PLN 6 125,414*
za 15 szt.
 
 paczka
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; DIP8; -1,5÷1,5A; 1W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DIP8 Moc: 1W Napięcie zasilania: 6...20V DC Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 65ns Prąd wyjściowy: -1,5...1...
Infineon
IR4427PBF
od PLN 5,248*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 652 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 652 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY50N120CH3XKSA1
od PLN 33,53*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT; high-/low-side,sterownik bramkowy (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SSOP24 Moc: 1,5W Napięcie zasilania: 10,4...20V DC Czas załączania: 440ns Czas wyłączania: 440ns Prąd wyjściowy:...
Infineon
IR2114SSPBF
od PLN 26,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 104 A Uce 650 V 1 TO-247GE 288 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 104 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
od PLN 18,235*
za szt.
 
 szt.
IC: driver; półmostek IGBT,półmostek MOSFET; SO8; -500÷250mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SO8 Napięcie zasilania: 10...20V DC Prąd wyjściowy: -500...250mA Typ układu scalonego: driver Czas narastania impulsu: 160ns Cz...
onsemi
NCP5104DR2G
od PLN 1,655*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor IGBT IXYS IXGN200N60B3, SOT- 227B, N -channel, 600 V (2 ofert) 
Tranzysor IGBT IXYS IXGN200N60B3 | Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 44 ns · I (CM): 1200 A · Kod producenta: IXY · Konfiguracja: Pojedynczy · Moc (maks) P(TOT): 830 W · Napięcie kolektora...
IXYS
IXGN200N60B3
od PLN 138,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 100 A Uce 600 V 1 PG-TO247-3 333 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ montażu = Otw...
Infineon
IGW50N60H3FKSA1
od PLN 12,995*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   260   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.