 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon IPA65R110CFDXKSA1 |
od PLN 13,05*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 23,903*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.665 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja... |
ROHM Semiconductor R6507KND3TL1 |
od PLN 2,83*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 7,5 A TO-220 FP 800 V 0.205 Ω (1 Oferta) Tranzystor MOSFET z serii Vishay E ma typ FULLPAK typu Thin-Lead TO-220 z prądem odpływowym 7.5 A.Niska wartość FOM Ron x Qg Niska efektywna pojemność (co(er)) Ograniczenie strat przełączania i prz... |
|
od PLN 6,59*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STD8N65M5 |
od PLN 4,709*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,229*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 7 A HUML2020L8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR |
od PLN 1,329*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPD65R660CFDATMA1 |
od PLN 4,59*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 7 A SO-8 60 V SMD 0.04 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
|
od PLN 8,42*
za 5 szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STF40N60M2 |
od PLN 15,80*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,601*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,736*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,32*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,28*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 7 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk... |
Infineon IPLK80R750P7ATMA1 |
od PLN 2,378*
za szt. |
|
|
