MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 643/815)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IPA65R650CE tranzystor 600 V (2 ofert)

Infineon

IPA65R650CEXKSA1

od PLN 1,871*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 5,8A; Idm: 23,2A; 30W (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unip...

Toshiba

TK6A65W,S5X(M

od PLN 3,39*
za szt.

Infineon IPD80R750P7 tranzystor 800 V (1 Oferta)

Infineon

IPD80R750P7ATMA1

od PLN 2,388*
za szt.

Infineon IPP65R420CFD tranzystor 600 V (1 Oferta)

Infineon

IPP65R420CFDXKSA1

od PLN 3,81*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 73 A TO-247-4 1200 V (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 73 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1

Microchip Technology

MSC025SMA120B4

od PLN 147,525*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 74 A DFN 80 V SMD Dwa 3,1 W 8,8 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źród...

onsemi

NVMFD6H840NLT1G

od PLN 4,537*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 7,4 A TO-263-7 1700 V SMD 650 m.Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja d...

Infineon

IMBF170R650M1XTMA1

od PLN 12,795*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 7 A Urządzenie HiP247 1700 V 1.66 Ω (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Typ opakowania = Urządzenie HiP247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

ST Microelectronics

SCT1000N170

od PLN 25,66*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 74 A DFN 80 V SMD Pojedynczy 89 W 11,4 milioma (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 74 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = DFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źród...

onsemi

NTMFS6H836NT1G

od PLN 3,135*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 70 A PowerDI3333-8 80 V SMD 0.0069 O. (2 ofert)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 70 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerDI3333-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja...

Diodes

DMTH8008LFGQ-7

od PLN 2,722*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 7,5 A SO-8 60 V SMD Pojedynczy 2,5 W 21 miliomów (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET Power to najnowszy proces produkcji układu STMicroelectronic, który został opracowany w oparciu o pasek ″Single Feature Size™″. Powstały tranzystor charakteryzuje się niezwykle wy...

ST Microelectronics

STS7NF60L

od PLN 9 118,825*
za 2 500 szt.