Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 650 ofert spośród 4 784 690 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 230A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 340W P...
IXYS
IXTA230N04T4
od PLN 8,29*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A D-PAK 150 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej
Infineon
IRFR4615TRLPBF
od PLN 13,345*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 50A; 74W; VSONP8; 5x6mm (1 Oferta) 
Producent: TEXAS INSTRUMENTS Montaż: SMD Obudowa: VSONP8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacj...
Texas Instruments
CSD18514Q5AT
od PLN 3,79*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPL60R075CFD7AUMA1
od PLN 11,392*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 34ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Pol...
IXYS
IXTA100N04T2
od PLN 5,50*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-220 600 V 59 miliomów (1 Oferta) 
STMicroelectronics wysokiego napięcia N-kanałowy Power MOSFET jest częścią serii MDmesh DM6 Fast Recovery Diode. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh, DM6 łączy bardzo niski poziom naładowani...
ST Microelectronics
STO67N60DM6
od PLN 21,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 270 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.002 o (2 ofert) 
Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET o mocy 20V-40V z kanałów N, przeznaczonych do zastosowań motoryzacyjnych, wykorzystujących nową technologię OptiMOS w różnych pakietach, spełniając...
Infineon
AUIRF2804STRL
od PLN 9,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A PowerDI5060-8 60 V SMD 0,044 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = DMNH6035 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Diodes
DMNH6035SPDW-13
od PLN 7 134,55*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: ...
Nexperia
PSMN8R0-40PS,127
od PLN 3,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 31 A TO-220FP 600 V 0,082 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 31 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = Mdmesh M6 series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród...
ST Microelectronics
STL47N60M6
od PLN 18,143*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247 650 V 0,091 oma (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = DM6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,091 om...
ST Microelectronics
STW50N65DM6
od PLN 24,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 100A; 272W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 272W ...
Nexperia
PSMN1R8-40YLC,115
od PLN 4,56*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247 600 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = SUPERFET V Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTHL099N60S5
od PLN 15,878*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 48ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 270A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W...
IXYS
IXTH270N04T4
od PLN 11,94*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A ThinPAK 8 x 8 600 V SMD 75 m.Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = IPL60R Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
IPL60R075CFD7AUMA1
od PLN 16,959*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   1444   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.