 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 26 510,34*
za 3 000 szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOI4184 |
od PLN 1,31*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 35,7 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n... |
|
od PLN 1,54*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 14,73*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPL60R075CFD7AUMA1 |
od PLN 11,392*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R072M1HXTMA1 |
od PLN 27,944*
za szt. |
|
|
|
Alpha & Omega Semiconductor AOB4184 |
od PLN 1,94*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 7 233,84*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 9 005,22*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 11,96*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247 650 V 0,091 oma (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = DM6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,091 om... |
ST Microelectronics STW50N65DM6 |
od PLN 24,24*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 3,87*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ... |
|
od PLN 3,753*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,678*
za szt. |
|
|
MOSFET N-kanałowy 350 mA SOT-223 240 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 240 V Typ opakowania = SOT-223 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ... |
|
od PLN 3,118*
za szt. |
|
|
