Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (21 651 ofert spośród 4 784 745 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TSDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża m...
Infineon
IPZ40N04S5-5R4
od PLN 2,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na ...
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1
od PLN 5,54*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 4,6 A SOT-23 40 V SMD 0,052 oma (2 ofert) 
Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex 40V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym ro...
Diodes
DMN4035L-7
od PLN 1,785*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 345 A DirectFET L8 60 V SMD 0.0015 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 345 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = ...
Infineon
AUIRF7749L2TR
od PLN 20,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 67A; 33W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6234
od PLN 1,69*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A PG-TO252-3-11 120 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 120 V Typ opakowania = PG-TO252-3-11 Typ montażu = SMD
Infineon
IPD35N12S3L24ATMA1
od PLN 3,759*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89W P...
Infineon
IPI50R350CPXKSA1
od PLN 4,33*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-247 600 V 0.099 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
onsemi
NTHL099N60S5
od PLN 18,567*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 420A; 935W; TO247-3; 74ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 74ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 935W P...
IXYS
IXTH420N04T2
od PLN 18,43*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.026 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™-T Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IPD35N10S3L26ATMA1
od PLN 3,801*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTP300N04T2
od PLN 14,10*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPB60R060C7ATMA1
od PLN 16,254*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Po...
Infineon
IPC70N04S5-4R6
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A SOT1210 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SOT1210 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Nexperia
BUK9M31-60ELX
od PLN 2,901*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 11A; 220W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 220W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFB18N50KPBF
od PLN 6,46*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   1444   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.