Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 232 ofert spośród 4 769 664 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247AD 700 V 0.109 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.1...
Vishay
SQW33N65EF-GE3
od PLN 13,061*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO220AB; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTP340N04T4
od PLN 11,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1
Infineon
IMBG65R072M1HXTMA1
od PLN 28,004*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,8A; 60W; TO220AB; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W ...
IXYS
IXTP08N50D2
od PLN 5,77*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247N 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4045DEHRC11
od PLN 29,164*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 327 A PG HDSOP-16 (TOLT) 80 V SMD (1 Oferta) 
Infineon IAUS300N08S5N014T to 1.4 mΩ, topikowy MOSFET o napięciu 80 V, który jest oferowany w pakiecie TOLT z wiodącą technologią OptiMOS-5 firmy Infinion. Urządzenie jest przeznaczone do zastosowa...
Infineon
IAUS300N08S5N014TATMA1
od PLN 18,364*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TDSON-8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Po...
Infineon
IPC70N04S5L-4R2
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-263 650 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
od PLN 13,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Czas gotowości: 43ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W...
IXYS
IXTA340N04T4-7
od PLN 11,96*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33,8 A PowerPAK 1212-8S 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33,8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = ...
Vishay
SISS5708DN-T1-GE3
od PLN 3,743*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 340 A TO-220AB 40 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 340 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFB3004PBF
od PLN 8,304*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 600A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25k...
IXYS
IXTK600N04T2
od PLN 67,37*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 33 A D-PAK 150 V Montaż na płytce drukowanej (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 33 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = D-PAK Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej
Infineon
IRFR4615TRLPBF
od PLN 3,06*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 340 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.00175 O. (1 Oferta) 
Tranzystory Infineon HEXFET Power MOSFET wykorzystują najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe cechy tej konstrukcji to temperatura ro...
Infineon
AUIRFS3004TRL
od PLN 16,789*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 8 A SOT-23 40 V SMD 0.036 O. (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 8 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło =...
Vishay
SQ2318AES-T1_GE3
od PLN 0,701*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1483   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.