Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 233 ofert spośród 4 768 982 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Infineon
IPW60R060C7XKSA1
od PLN 20,828*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 450V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2994
od PLN 18,08*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 34 A TO-247N 750 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 34 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 750 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4045DEHRC11
od PLN 29,45*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35,7 A PowerPAK 1212-8 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35,7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów n...
Vishay
SIS4608DN-T1-GE3
od PLN 1,834*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 9,9A; 6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 9,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 6W Polaryzacja: unipolarny R...
Vishay
SI4840BDY-T1-E3
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A DFN 40 V SMD Pojedynczy 28 W 12 miliomów (1 Oferta) 
Motoryzacyjny układ Power MOSFET w obudowie 5 x 6 mm z płaskimi wyprowadzeniami zaprojektowanej do kompaktowych i efektywnych konstrukcji i zapewniającej wysokie parametry termiczne. Opcja końcówek...
onsemi
NVMFS5C468NT1G
od PLN 3 208,845*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 15A; 417W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT22N50L
od PLN 5,10*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247AC 650 V 0.08 Ω (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0...
Vishay
SiHG080N60E-GE3
od PLN 12,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 45V; 100A; 83W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 45V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6152
od PLN 3,97*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 350 A PowerPAK SO-8L 40 V SMD 0.00112 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 350 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło...
Vishay
SQJ136ELP-T1_GE3
od PLN 4,115*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPD35N10S3L26ATMA1
od PLN 12,575*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA16N50P
od PLN 9,92*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 35 A TO-263 600 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 35 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-263 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
od PLN 13,241*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 0,7A; 2,5W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 500V Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,5W Polaryzacja: unipolarny ...
Microchip Technology
DN2450K4-G
od PLN 2,72*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 342 A TO-263-7 60 V SMD 0.0011 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 342 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = NTBGS Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0...
onsemi
NTBGS001N06C
od PLN 35,999*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1483   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.