Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 787 ofert spośród 4 812 599 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 29 A TO-247 600 V 120 MO (1 Oferta) 
MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 jest następcą serii 600V CoolMOS™ P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsza w swojej kla...
Infineon
IPW60R120P7XKSA1
od PLN 11,223*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,8A; 1,3W; TSOP6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOP6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO6400
od PLN 0,266*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,4 A SOP 80 V SMD 0.013 omów (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = SOP Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
ROHM Semiconductor
SP8K41HZGTB
od PLN 3,529*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 4,9A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO3404A
od PLN 0,279*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3 A ThinPAK 5 x 6 800 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = ThinPAK 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Liczba elementów na uk...
Infineon
IPLK80R2K0P7ATMA1
od PLN 1,622*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 6A; 1W; SOT23F (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SOT23F Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny...
Toshiba
SSM3K333R,LF(B
od PLN 1,72*
za 5 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 3,2 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm 100 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFHM3911TRPBF
od PLN 1,853*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 29 A TO-3PF 600 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 29 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = TO-3PF Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
ROHM Semiconductor
R6077VNZC17
od PLN 28,172*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,8A; Idm: 60A; 1,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,1W Polaryzacj...
Diodes
DMN3018SSS-13
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,4 A TSOT-26 30 V SMD 0,2 oma (1 Oferta) 
Tryb wzmocnienia dwukanałowego DiodesZetex 30V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealn...
Diodes
DMN3061SVT-7
od PLN 1,238*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 500 mA SOT-23 30 V SMD Pojedynczy 520 mW 2 miliomy (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 500 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren...
Diodes
DMN31D5L-7
od PLN 1,65*
za 10 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 3 A TO-220 FP 850 V 1.35 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Seria = E Series Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.35...
Vishay
SiHA5N80AE-GE3
od PLN 3,143*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 7,1A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2W Pola...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4404B
od PLN 0,42*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 3,2 A, 5 A. IPAK (TO-251) 850 V 0,95 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,2 A, 5 A. Maksymalne napięcie dren-źródło = 850 V Typ opakowania = IPAK (TO-251) Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystan...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
od PLN 2,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 52A; 14W; DFN5x6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 14W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6354
od PLN 0,77*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   1520   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.