MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 932/1 439)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

MOSFET N-kanałowy 86 A PQFN 3 x 3 60 V SMD 0.0045 O, 0.0056 O. (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 86 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = OptiMOS 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło ...

Infineon

ISZ0702NLSATMA1

od PLN 1,862*
za szt.

Infineon IPD60R280CFD7 tranzystor 650 V (1 Oferta)

Infineon

IPD60R280CFD7ATMA1

od PLN 9 284,65*
za 2 500 szt.

Infineon IPD95R1K2P7 tranzystor 950 V (2 ofert)

Infineon

IPD95R1K2P7ATMA1

od PLN 2,32*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A DPAK (TO-252) 650 V SMD 0.585 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja...

ROHM Semiconductor

R6509KND3TL1

od PLN 2,803*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 6A; 45W; TO251S3 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251S3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipolar...

WAYON

WMG09N60C2

od PLN 1,18*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 90 A PG-TO252-3 SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 90 A Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = SMD

Infineon

IPD036N04LGATMA1

od PLN 3,491*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 86W; TO251 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMP16N60FD

od PLN 3,07*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 87 A PowerPAK 1212-8PT 30 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 87 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PowerPAK 1212-8PT Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8

Vishay

SiSA12BDN-T1-GE3

od PLN 2,442*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 900V; 2,5A; 125W; TO220AB (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: DIODES INCORPORATED ...

Diodes

DMN90H8D5HCT

od PLN 2,25*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A U-DFN2030 20 V SMD 0.028 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = U-DFN2030 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren...

Diodes

DMN2014LHAB-13

od PLN 3,23*
za 5 szt.

Infineon IPU95R1K2P7 tranzystor 950 V (1 Oferta)

Infineon

IPU95R1K2P7AKMA1

od PLN 2,50*
za szt.

MOSFET N-kanałowy 9 A M250 80 V SMD Pojedynczy 108 W (1 Oferta)

Tranzystory MOSFET RF STMicroelectronics. Tranzystory częstotliwości radiowej są typu LDMOS odpowiednie dla łączności satelitarnej w paśmie L oraz tranzystorów mocy DMOS w zastosowaniach od 1 MHz d...

ST Microelectronics

LET9045F

od PLN 13 889,52*
za 25 szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolarny; 600V; 8A; 57W; TO252 (1 Oferta)

WAYON

WMO10N60C2

od PLN 1,30*
za szt.

Infineon IPC90N04S5L-3R3 tranzystor (1 Oferta)

Infineon

IPC90N04S5L3R3ATMA1

od PLN 1,768*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 600V; 13A; 86W; TO263 (1 Oferta)

Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarn...

WAYON

WMM16N60FD

od PLN 3,59*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 931 932 933 934 935 936 937 938 939 940 941 .. 1439 Dalej

MOSFET (21 583 ofert spośród 4 767 778 artykułów)

"MOSFET"