Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Taiwan Semiconductor TSM4436CS RLG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 60 V 8 A 2,5 W 0,036R SO8 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CS · Sposób montażu: mocowanie PC... |
Taiwan Semiconductor TSM4436CS RLG |
od PLN 1,97*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 4A, SOT-89 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP161A1265PR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=55 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP161A1265PR-G |
od PLN 1,19*
za szt. |
| |
MOSFET 66 A PG-TO 220 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO 220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
od PLN 7,475*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM4936DCS RLG MOSFET 1 szt. (2 ofert) 2xN-Ch 30V 5,9A 3W 0,036R SO8 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CS · Sposób montażu: mocowanie PCB... |
Taiwan Semiconductor TSM4936DCS RLG |
od PLN 1,93*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 4A, SOT-89 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP161A1355PR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=4 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=45 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=85 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP161A1355PR-G |
od PLN 1,13*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 369,22*
za 50 szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP1403-E/SO |
od PLN 8,49*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM480P06CP ROG MOSFET 1 szt. (2 ofert) P-Ch 60 V 20 A 40 W 0,048R TO252 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -50 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CP · Sposób montażu: mocowanie ... |
Taiwan Semiconductor TSM480P06CP ROG |
od PLN 1,96*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,27*
za szt. |
| |
MOSFET 63 A PG-TO247 SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 63 A Typ opakowania = PG-TO247 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
Infineon IPW65R035CFD7AXKSA1 |
od PLN 956,19*
za 30 szt. |
| |
|
Microchip Technology MCP14A0453-E/MS |
od PLN 4,59*
za szt. |
| |
Taiwan Semiconductor TSM60NB900CP ROG MOSFET 1 szt. (2 ofert) N-Ch 600 V 4 A 36,8 W 0,9R TO252 Dane techniczne: Minimalna temperatura robocza: -55 °C · Opakowanie: taśma na dużej rolce · Seria (elementu półprzewodnikowego): TSM_CP · Sposób montażu: mocowanie ... |
Taiwan Semiconductor TSM60NB900CP ROG |
od PLN 4,00*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 530mA, TO-92 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TN0702N3-G, Ciągły prąd drenu (Id)=530 mA, Czas narastania=20 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=20 ns, Napięcie bramka-źród... |
Microchip Technology TN0702N3-G |
od PLN 3,64*
za szt. |
| |
MOSFET 66 A PG-TO 220 650 V SMD (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd drenu = 66 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = PG-TO 220 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
|
od PLN 7,92*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał P, 20V, 4.7A, SOT-23 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM500P02CX RFG, Ciągły prąd drenu (Id)=4.7 A, Czas narastania=21.6 ns, Czas opadania=13.8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=51 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bram... |
Taiwan Semiconductor TSM500P02CX RFG |
od PLN 0,84*
za szt. |
| |
|
