Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 31/624)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...

ROHM Semiconductor

QS5U17TR

od PLN 0,58*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 440 A HSOF-5 40 V SMD 0.0007 Ω (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 440 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 5 Maksymalna rezystancja dren-...

Infineon

IST007N04NM6AUMA1

od PLN 9,235*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 334A, SMPD (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=MMIX1F420N10T, Ciągły prąd drenu (Id)=334 A, Czas narastania=155 ns, Czas opadania=255 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=115 ns, Czas opóźnienia włączenia=47 ns, Napięcie bramka...

IXYS

MMIX1F420N10T

od PLN 148,13*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 20mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

onsemi

BSR57

od PLN 0,45*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 80 A SuperSO8 5 x 6 25 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 25 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...

Infineon

BSZ031NE2LS5ATMA1

od PLN 3,312*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 33A, TO-263 (3 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF540NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=33 A, Czas narastania=35 ns, Czas opadania=35 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=39 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-źr...

Infineon

IRF540NSTRLPBF

od PLN 1,549*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 14mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

Toshiba

2SK209-BL(TE85L,F)

od PLN 0,83*
za szt.

Infineon BSC059N04LS6 tranzystor 40 V (1 Oferta)

Infineon

BSC059N04LS6ATMA1

od PLN 8 524,55*
za 5 000 szt.

Infineon IRL540NS tranzystor 150 V (4 ofert)

Infineon

IRL540NSTRLPBF

od PLN 3,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...

ROHM Semiconductor

QS5U13TR

od PLN 0,45*
za szt.

Infineon BSC220N20NSFD tranzystor 200 V (1 Oferta)

Infineon

BSC220N20NSFDATMA1

od PLN 44 875,50*
za 5 000 szt.

Infineon IRF1310NS tranzystor 150 V (4 ofert)

Infineon

IRF1310NSTRLPBF

od PLN 3,311*
za szt.

Infineon IPG20N04S4-09 tranzystor 40 V (2 ofert)

Infineon

IPG20N04S409ATMA1

od PLN 1,99*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 48 A SuperSO8 5 x 6 60 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...

Infineon

BSC097N06NSTATMA1

od PLN 2,885*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 5.4A, SO-8 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7490TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=5.4 A, Czas narastania=4.2 ns, Czas opadania=11 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=51 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źr...

Infineon

IRF7490TRPBF

od PLN 1,576*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .. 624 Dalej

Tranzystor SMD (9 357 ofert spośród 4 792 391 artykułów)

"Tranzystor SMD"