Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 248 ofert spośród 4 811 086 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Cz...
Infineon
IKB20N60H3ATMA1
od PLN 5,965*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, NPN, SOT-323-3 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=MMDT5214W, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-999, Częstotliwość robocza=250 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-999, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-999, Napięcie kol...
Diotec
MMDT5214W
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 135 A PG-TO263-3 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 135 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005741998
od PLN 5,368*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 18A Czas załączania: 15ns Cza...
Infineon
IKB06N60TATMA1
od PLN 2,936*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor cyfrowy, PNP, SOT-23-3 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor cyfrowy, Typ=MMBTRA104SS, Ciągły prąd kolektora (Ic)=-999, Częstotliwość robocza=200 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=-999, Napięcie emiter-baza (Vebo)=-999, Napięcie k...
Diotec
MMBTRA104SS
od PLN 0,132*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 15 A PowerFLAT 8 x 8 HV 600 V SMD Pojedynczy 110 W 215 miliomów (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET o wysokim napięciu w trybie N-channel należy do serii diod szybkiego odzyskiwania MDmesh™ DM6. W porównaniu z poprzednią generacją MDmesh fast generation, DM6 łączy w sobie bardzo...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
od PLN 11,369*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 600V; 8,5A; 38W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 8,5A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 38W Właściwości elementów półprzewodnikowych: i...
Infineon
IRG4RC10UDPBF
od PLN 3,46*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP196W tranzystor (2 ofert)
Infineon
BFP196WH6327XTSA1
od PLN 0,288*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 170 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005571690
od PLN 4 394,16*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 30A Czas załączania: 20ns Cz...
Infineon
IKB10N60TATMA1
od PLN 3,176*
za szt.
 
 szt.
Infineon BFP196WN tranzystor (2 ofert)
Infineon
BFP196WNH6327XTSA1
od PLN 0,352*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 14 A WDFN 80 V SMD 0,05 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 14 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = WDFN Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źró...
onsemi
NVTFS6H888NLTAG
od PLN 5,29*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 160W Rodzaj opakowania: rolka
Infineon
IRG4BC40W-STRRP
od PLN 3 507,08*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Infineon BFP196 tranzystor (2 ofert)
Infineon
BFP196E6327HTSA1
od PLN 0,332*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 139 A PG-TO263-7 100 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 139 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005742001
od PLN 6,641*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   617   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.