Tranzystor SMD kup korzystnie w Mercateo (strona 30/624)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 30V; 25mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Pola...

onsemi

MMBF4392LT1G

od PLN 0,42*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 5,5 A PowerFLAT 5 x 6 HV 600 V SMD Pojedynczy 48 W 660 miliomów (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,5 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PowerFLAT 5 x 6 HV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezy...

ST Microelectronics

STL10N60M6

od PLN 3,344*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 190mA, SOT-23 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=BSS169IXTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=190 mA, Czas narastania=2.7 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=11 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bramka-...

Infineon

BSS169IXTSA1

od PLN 0,332*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 325mW; SOT23; 50mA (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 325mW Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V

onsemi

MMBFJ202

od PLN 0,391*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 44 A SuperSO8 5 x 6 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 44 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na ...

Infineon

BSC146N10LS5ATMA1

od PLN 4,109*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 2.4A, SOT-223 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=STN2NF10, Ciągły prąd drenu (Id)=2.4 A, Czas narastania=10 ns, Czas opadania=3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źródło=20...

brak danych

STN2NF10

od PLN 3,36*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta)

Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 1,4mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka...

Toshiba

2SK208-O(TE85L,F)

od PLN 0,69*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 75 A TDSON 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = TDSON Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na układ = 1

Infineon

ISC080N10NM6ATMA1

od PLN 4,442*
za szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 280A, HSOF-8 (1 Oferta)

Tranzystor MOSFET, Typ=DI280N10TL, Ciągły prąd drenu (Id)=280 A, Czas narastania=33 ns, Czas opadania=75 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=95 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródł...

Diotec

DI280N10TL

od PLN 14,80*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Napięcie bramka-źródło: -40V

onsemi

MMBFJ201

od PLN 0,423*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 53 A D2PAK (TO-263) SMD Pojedynczy 250 W 40 miliomów (1 Oferta)

To urządzenie jest N-kanałowym tranzystorem MOSFET mocy opartym na innowacyjnej technologii procesu pionowego MDmesh™ M5 w połączeniu z dobrze znanym układem poziomym PowerMESH™. Produkt ten charak...

ST Microelectronics

STB45N30M5

od PLN 14 977,55*
za 1 000 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 31A, TO-252 (4 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR3410TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=31 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źró...

Infineon

IRFR3410TRPBF

od PLN 1,49*
za szt.

Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 80mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...

onsemi

BSR58

od PLN 0,264*
za szt.

Tranzystor MOSFET N-kanałowy 52 A PG-TO252-3 100 V SMD (1 Oferta)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 52 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Infineon

SP005571685

od PLN 6 191,144*
za 800 szt.

Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 31A, TO-252 (2 ofert)

Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR3410TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=31 A, Czas narastania=27 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramka-źr...

Infineon

IRFR3410TRLPBF

od PLN 1,59*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .. 624 Dalej

Tranzystor SMD (9 357 ofert spośród 4 792 221 artykułów)

"Tranzystor SMD"