 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GN120BG |
od PLN 28,26*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP220N25NFDAKSA1 |
od PLN 18,33*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor EMD52T2R |
od PLN 0,262*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 135A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 135A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 96ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GN60B2G |
od PLN 39,68*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPP200N25N3GXKSA1 |
od PLN 24,391*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,657*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 250V, 80A, TO-220 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFP80N25X3, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 20,94*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 248,88*
za 3 000 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 82A; 1,25kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 82A Prąd kolektora w impulsie: 580A Czas załączania: 109ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 81,94*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 250V, 80A, TO-247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH80N25X3, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 26,07*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor DTB523YE3TL |
od PLN 2,015*
za 5 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 46ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120SG |
od PLN 39,73*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 250V, 80A, TO-263 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFA80N25X3, Ciągły prąd drenu (Id)=80 A, Czas narastania=17 ns, Czas opadania=8 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 30,87*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor EMB60T2R |
od PLN 1,055*
za 5 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 19ns Cz... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT20GN60SDQ2G |
od PLN 26,98*
za szt. |
|
|
