Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 26,62*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 600mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP224N0601TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=600 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źr... |
Torex Semiconductor XP224N0601TR-G |
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
|
Fischer Elektronik 10007631 |
od PLN 3,43*
za szt. |
| |
Tranzystor ogólnego przeznaczenia, PNP, 65V, TO-92 (3 ofert) Tranzystor ogólnego przeznaczenia, Typ=BC556BTF, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 mA, Częstotliwość tranzytowa=200 MHz, Napięcie bazy kolektora (Vcbo)=80 V, Napięcie emiter-baza (Vebo)=5 V, Napięcie ... |
|
od PLN 0,175*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,13*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 600mA, SOT-323 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP224N06013R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=600 mA, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źr... |
Torex Semiconductor XP224N06013R-G |
od PLN 0,52*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 4,12*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTB543EE3TL |
od PLN 2,015*
za 5 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.7A, SO-8 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF7401TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.7 A, Czas narastania=72 ns, Czas opadania=92 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=65 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 1,20*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTB513ZE3TL |
od PLN 0,658*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 8.9A, SO-8 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRF8915TRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=8.9 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=3.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=7.1 ns, Czas opóźnienia włączenia=6 ns, Napięcie bramka-źr... |
|
od PLN 3,31*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA143EU3T106 |
od PLN 0,163*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13A Czas załączania: 310ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 62,22*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 915mA, SC-75 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=NTA4153NT1G, Ciągły prąd drenu (Id)=915 mA, Czas narastania=4.4 ns, Czas opadania=7.6 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=25 ns, Czas opóźnienia włączenia=3.7 ns, Napięcie bramka-... |
|
od PLN 0,276*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 514,59*
za 3 000 szt. |
| |
|
