Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 150A, ISOPLUS247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFX150N30P3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=74 ns, Czas opóźnienia włączenia=44 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 58,88*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 360,75*
za 3 000 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 695W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 95ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 73,55*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 150A, TO-264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFK150N30P3, Ciągły prąd drenu (Id)=150 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=12 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=74 ns, Czas opóźnienia włączenia=44 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 74,811*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor DTA044EEBTL |
od PLN 17,20*
za 200 szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 123A; 536W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 123A Prąd kolektora w impulsie: 450A Czas załączania: 154ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT150GN60LDQ4G |
od PLN 117,16*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB53T2R |
od PLN 1,045*
za 5 szt. |
| |
|
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60BDQ2G |
od PLN 42,07*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 210A, ISOPLUS264 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFB210N30P3, Ciągły prąd drenu (Id)=210 A, Czas narastania=25 ns, Czas opadania=13 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=94 ns, Czas opóźnienia włączenia=46 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 103,447*
za szt. |
| |
|
ROHM Semiconductor EMB60T2R |
od PLN 0,285*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 290W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 210A Czas załączania: 96ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 44,21*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 70A, ISOPLUS247 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFR140N30P, Ciągły prąd drenu (Id)=70 A, Czas narastania=30 ns, Czas opadania=20 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=100 ns, Czas opóźnienia włączenia=30 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 77,34*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,0656*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 120A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 600A Czas załączania: 123ns Czas wyłączan... |
|
od PLN 52,33*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 300V, 88A, TO-247 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IXFH88N30P, Ciągły prąd drenu (Id)=88 A, Czas narastania=24 ns, Czas opadania=25 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=96 ns, Czas opóźnienia włączenia=25 ns, Napięcie bramka-źródło... |
|
od PLN 40,27*
za szt. |
| |
|
