 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70025R-G |
od PLN 0,48*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 220 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = EasyPACK Typ kanału = N Liczba ... |
Infineon F3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 853,644*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 50A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT13GP120BG |
od PLN 25,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70027R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70027R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65CHRC11 |
od PLN 34,595*
za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,332*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP90BDQ1G |
od PLN 39,58*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 5,87*
za szt. |
|
|
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li... |
|
od PLN 8,161*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 30A; 937W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 49ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 69,40*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,563*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGTV80TK65DGVC11 |
od PLN 21,082*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120B2D2G |
od PLN 80,32*
za szt. |
|
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 173A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB7537PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=173 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=82 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 3,218*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 18,465*
za szt. |
|
|
