Podgląd | "Tranzystor"Pojęcia nadrzędne Pojęcia podrzędne |
|  | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
IGBT Ic 30 A Uce 600 V PG-TO252-3 250 W (1 Oferta) Tranzystor dwubiegunowy z izolowaną bramką Infineon i zintegrowaną diodą w pakietach, co pozwala zaoszczędzić miejsce.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niski... |
|
od PLN 4,51*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 1,386*
za szt. |
| |
|
Infineon SN7002NH6327XTSA2 |
od PLN 0,207*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 7,239*
za szt. |
| |
|
|
od PLN 6,882*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=40 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,32*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 43ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP90BG |
od PLN 65,79*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,466*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1600 V 1 TO-247 kanał: N 263 W (1 Oferta) Seria Infineon IHW z odwrócającym przewodnikiem IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotowania i... |
|
od PLN 13,876*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-D26Z, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=-999, Czas opóźnienia włączenia=-999, Napięcie bramka-źródło=20 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, ... |
|
od PLN 0,415*
za szt. |
| |
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
od PLN 6,699*
za szt. |
| |
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 37,46*
za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
Microchip Technology 2N7000-G |
od PLN 1,36*
za szt. |
| |
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) ROHM Field stop trench IGBT używany głównie w falowniku i do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzyma... |
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11 |
od PLN 21,323*
za szt. |
| |
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3 394 W (2 ofert) Tranzystor bibiegunowy z izolowaną bramką Infineon z potężną monolityczną diodą korpusu o niskim napięciu do przodu, zaprojektowany z myślą o miękkim komutacji.Wysoka sprawność Niskie straty przy p... |
|
od PLN 11,791*
za szt. |
| |
|
