Podgląd | "MOSFET"Pojęcia nadrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | |
|
Infineon IPD100N06S403ATMA2 |
od PLN 3,709* za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,116* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,871* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,751* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 1.9A, SOT-223 (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL014NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=1.9 A, Czas narastania=7.1 ns, Czas opadania=3.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.6 ns, ... |
|
od PLN 2,50* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3 302,32* za 4 000 szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK 20 V (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = DPAK Typ montażu = Otwór przezierny |
|
od PLN 1,599* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 131A, D2PAK (2 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF1405STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=131 A, Czas narastania=190 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=130 ns, Czas opóźnienia włączenia=13 ns,... |
|
od PLN 4,12* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 135A, D2PAK (1 Oferta) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRF2805STRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=135 A, Czas narastania=120 ns, Czas opadania=110 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=68 ns, Czas opóźnienia włączenia=14 ns, ... |
|
od PLN 8,11* za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8 40 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HSOP8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6G100BGTB1 |
od PLN 2,976* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 17A, TO-247 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFR024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=17 A, Czas narastania=34 ns, Czas opadania=27 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=19 ns, Czas opóźnienia włączenia=4.9 ns, Nap... |
|
od PLN 1,16* za szt. |
| |
|
|
od PLN 3,466* za szt. |
| |
MOSFET N-kanałowy 100 A HSOP8S 100 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Typ opakowania = HSOP8S Typ montażu = Montaż powierzchniowy |
ROHM Semiconductor RS6P100BHTB1 |
od PLN 5,678* za szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 2.8A, SOT-223 (3 ofert) Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFL024NTRPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=2.8 A, Czas narastania=13.4 ns, Czas opadania=17.7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=22.2 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.1 ... |
|
od PLN 0,796* za szt. |
| |
|
|
od PLN 2,92* za szt. |
| |
|