Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 221 ofert spośród 4 799 023 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W; TSOT25 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Struktura półprzewodnika: wspólne źródło Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora:...
ROHM Semiconductor
QS5K2TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 28A, TO-252 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRLR2705TRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=28 A, Czas narastania=100 ns, Czas opadania=29 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=21 ns, Czas opóźnienia włączenia=8.9 ns, N...
Infineon
IRLR2705TRLPBF
od PLN 3,05*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1
od PLN 2,22806*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 3,5A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 3,5A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolk...
Infineon
IRF7101TRPBF
od PLN 21,18*
za 20 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 9,4A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 9,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FDS6898A
od PLN 2,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 55V, 29A, TO-263 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=IRFZ34NSTRLPBF, Ciągły prąd drenu (Id)=29 A, Czas narastania=49 ns, Czas opadania=40 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=31 ns, Czas opóźnienia włączenia=7 ns, Napi...
Infineon
IRFZ34NSTRLPBF
od PLN 1,62*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC014N06NSATMA1
od PLN 26 691,00*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSC014NE2LSIATMA1
od PLN 12 125,45*
za 5 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 6,7A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 6,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI9926CDY-T1-E3
od PLN 1,33*
za szt.
 
 szt.
Infineon
BSC010NE2LSIATMA1
od PLN 3,341*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFIZ44NPBF
od PLN 2,694*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,3W; SOT363 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Polar...
Diodes
DMG6301UDW-7
od PLN 0,875*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Infineon
IPB026N06NATMA1
od PLN 3,861*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 7,5A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6910
od PLN 2,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 24V; 11A; Idm: 60A; 1,4W; ECH8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: ECH8 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 24V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Za...
onsemi
ECH8695R-TL-W
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   815   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.