Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (12 221 ofert spośród 4 798 872 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-563 20 V SMD 250 mW 900 miliomów (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 20 V Typ opakowania = SOT-563 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dre...
onsemi
NTZD3154NT1G
od PLN 1,665*
za 5 szt.
 
 opakowania
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD 0.005 Ω, 0.0039 Ω (1 Oferta) 
Vishay SQM50034EL_GE3 to samochodowy N-kanałowy 60V (D-S) 175°C MOSFET.Układ MOSFET zasilania TrenchFET® Obudowa i niskim oporze cieplnym Rg i UIS testowane w 100 % Kwalifikacja AEC-Q101
Vishay
SQM50034EL_GE3
od PLN 3 612,736*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 7,5A; Idm: 20A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6911
od PLN 2,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF7910TRPBF
od PLN 7 749,88*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 10,6 A V-DFN3030 30 V SMD 0.011 O. (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10,6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = V-DFN3030 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja d...
Diodes
DMT3009UDT-7
od PLN 1,463*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD Pojedynczy 150 W 7,5 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = D2PAK (TO-263) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystanc...
Vishay
SQM50034E_GE3
od PLN 5,811*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 25V; 0,22A; 0,9W; SuperSOT-6 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 0,22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,9W Polaryzacja: u...
onsemi
FDC6301N
od PLN 0,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DO 247 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = DO 247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4
Wolfspeed
C3M0021120K
od PLN 3 923,7501*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Infineon
BSZ16DN25NS3GATMA1
od PLN 17,575*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 200mA, SOT-23 (3 ofert) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138L, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=14 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=36 ns, Czas opóźnienia włączenia=5 ns, Napięcie ...
onsemi
BSS138L
od PLN 0,136*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,2 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SQD40020EL_GE3
od PLN 3,218*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,7A; 0,3W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SC70-6;SOT363;SC88 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 442mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,3W Pola...
onsemi
FDG6335N
od PLN 0,86*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 100 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 107 W 4,7 milioma (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = DPAK (TO-252) Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancj...
Vishay
SQD40020E_GE3
od PLN 3,751*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF9910TRPBF
od PLN 6 982,64*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 50V, 220mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Nazwa produktu=Tranzystor MOSFET, Typ=BSS138G, Ciągły prąd drenu (Id)=220 mA, Czas narastania=9 ns, Czas opadania=7 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.5 ns, Napięcie ...
onsemi
BSS138G
od PLN 0,49*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   461   462   463   464   465   466   467   468   469   470   471   ..   815   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.